BUV22G, Биполярные транзисторы - BJT 40A 250V 250W NPN
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BUV22G
| Упаковка | Tray |
|---|---|
| Высота | 8.51 mm |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BUV22 |
| Длина | 38.86 mm |
| Ширина | 26.67 mm |
| Вес изделия | 1.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-204-2 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 40 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 8 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара