US6M2TR, моп-транзистор n+p 20v 1.5a/1a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание US6M2TR
| Тип | MOSFET |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363T-6 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | US6M2 |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Длина | 2 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Высота | 0.77 mm |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET |
| Время спада | 6 ns, 10 ns |
| Время нарастания | 9 ns, 8 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V, 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A, 1.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms, 390 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V, 4.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns, 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns, 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV, 500 mV |
| Qg - заряд затвора | 1.6 nC, 2.1 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара