STF16N50M2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
210,03 руб.
Нет в наличии
Описание STF16N50M2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | STF16N50M2 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 550 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 19.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.6 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF16N50M2 , МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 160 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара