IRFSL7730PBF, моп-транзистор 75v single n-channel hexfet
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRFSL7730PBF
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Вес изделия | 2.084 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Длина | 10.2 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Высота | 9.45 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 115 ns |
| Время нарастания | 120 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 246 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |
| Qg - заряд затвора | 271 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 180 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 249 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара