HN1B04FE-GR,LF

Код товара: 1013902

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
HN1B04FE-GR,LF
Производитель:
Описание Eng:
Bipolar transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Нормоупаковка:
4000 шт

Описание HN1B04FE-GR,LF

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-563-6
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияHN1B04
Вес изделия3 mg
ECCNEAR99
Pd - рассеивание мощности100 mW
ТехнологияSi
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN, PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V, - 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)80 MHz, 80 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка HN1B04FE-GR,LF в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.