FDD8876, МОП-транзистор 30V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDD8876
Описание FDD8876
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | FDD8876 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Технология | Si |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Тип | Power Trench MOSFET |
Ширина | 6.22 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 260.370 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 73 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Qg - заряд затвора | 47 nC |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Канальный режим | Enhancement |
Время нарастания | 91 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 37 ns |
Типичное время задержки выключения | 44 ns |
Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара