2SA1587-GR,LF, биполярные транзисторы - bjt transistor for low freq. amplification
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SA1587-GR,LF
Описание 2SA1587-GR,LF
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SC-70-3 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | 2SA1587 |
Вес изделия | 6 mg |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара