IXDN55N120D1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 160,44 руб.
Нет в наличии
Описание IXDN55N120D1
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXDN55N120 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXDN55N120D1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара