STGP20H60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
242,09 руб.
Нет в наличии
Описание STGP20H60DF
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | STGP20H60DF |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGP20H60DF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара