STGP20H60DF, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) 600v 20a high speed trench gate igbt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGP20H60DF
Описание STGP20H60DF
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | STGP20H60DF |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара