IPB80N03S4L-03, МОП-транзистор N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Артикул:
IPB80N03S4L-03
Производитель:
Описание IPB80N03S4L-03
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS-T2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 9.25 mm |
| Высота | 4.4 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 62 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара