TK12A60W,S4VX
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TK12A60W,S4VX
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
80,31 руб.
Внешние склады
-
91+ 131+ 262+ 1309+98,08 ₽ 84,58 ₽ 82,44 ₽ 80,31 ₽Срок:25 днейНаличие:2 183Минимум:Мин: 91Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание TK12A60W,S4VX
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | TK12A60W |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Длина | 10 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Высота | 15 mm |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5.5 ns |
| Время нарастания | 23 ns |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TK12A60W,S4VX
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 135 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара