4N38TVM, транзисторные выходные оптопары 6pw hvceo tr wl dip vde
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Транзисторные выходные оптопары 6PW HVCEO TR WL DIP VDE
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
4N38TVM
Описание 4N38TVM
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | 4N38M |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Высота | 3.53 mm |
| Длина | 8.89 mm |
| Упаковка / блок | DIP-6 |
| Ширина | 6.1 mm |
| Вес изделия | 864 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип выхода | NPN Phototransistor |
| Количество каналов | 1 Channel |
| If - прямой ток | 10 mA |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Напряжение изоляции | 7500 Vrms |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
| Коэффициент передачи по току | 20 % |
| Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара