BFU520XAR, рч биполярные транзисторы npn wideband silicon rf transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU520XAR
Описание BFU520XAR
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Вес изделия | 8.870 mg |
| Упаковка / блок | SOT143B-4 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Тип | Wideband RF Transistor |
| Pd - рассеивание мощности | 450 mW |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 24 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10.5 GHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 mA |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Рабочая частота | 900 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара