TPN5900CNH,L1Q
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TPN5900CNH,L1Q
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV
В упаковке:
5000 шт
Цена от:
40,09 руб.
Нет в наличии
Описание TPN5900CNH,L1Q
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | TPN5900CNH |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 3.1 mm |
| Ширина | 3.1 mm |
| Высота | 0.85 mm |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Время нарастания | 5.2 ns |
| Время спада | 4.5 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Конфигурация | Triple |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TPN5900CNH,L1Q
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара