BFU790F.115, рч биполярные транзисторы npn wideband silicon germanium rf trans
РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU790F.115
Описание BFU790F.115
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Вес изделия | 6.665 mg |
ECCN | EAR99 |
Тип | RF Silicon Germanium |
Упаковка / блок | SOT-343 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Рабочая частота | 110 GHz |
Pd - рассеивание мощности | 234 mW |
Технология | SiGe |
Тип транзистора | Bipolar |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.8 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 235 |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара