STP12N50M2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STP12N50M2
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
176,88 руб.
Нет в наличии
Описание STP12N50M2
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | STP12N50M2 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Время нарастания | 10.5 ns |
| Время спада | 34.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP12N50M2 , МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара