STB45N50DM2AG, моп-транзистор ptd high voltage
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание STB45N50DM2AG
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | STB45N50DM2AG |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 4.6 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Тип | High Voltage |
| Ширина | 9.35 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 84 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 9.4 ns |
| Время спада | 9.8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 73.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара