2N5551TFR, биполярные транзисторы - bjt npn transistor general purpose
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2N5551TFR
Описание 2N5551TFR
| Серия | 2N5551 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 240 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара