NSVMMBTA05LT1G, Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN

Код товара: 10166159

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
NSVMMBTA05LT1G
Производитель:

Описание NSVMMBTA05LT1G

СерияMMBTA05LT1
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Вес изделия8 mg
Упаковка / блокSOT-23-3
КвалификацияAEC-Q101
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Pd - рассеивание мощности225 mW
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка NSVMMBTA05LT1G , Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 228
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.