TPS1100DR, МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Цена от:
163,79 руб.
Нет в наличии
Описание TPS1100DR
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | TPS1100 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 76 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Тип | PMOS Switches |
| Pd - рассеивание мощности | 791 mW |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 2 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 5.45 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TPS1100DR , МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара