IHW30N110R3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Артикул:
IHW30N110R3
Производитель:
Описание IHW30N110R3
| Серия | RC |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара