FDD10N20LZTM, МОП-транзистор 200V N-Channel МОП-транзистор, UniFET
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
59,83 руб.
Нет в наличии
Описание FDD10N20LZTM
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FDD10N20LZ |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 56 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDD10N20LZTM , МОП-транзистор 200V N-Channel МОП-транзистор, UniFET
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара