MCCD2005-TP, МОП-транзистор 8A,20V Dual N Chann Mosfet,
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 8A,20V Dual N Chann Mosfet,
Артикул:
MCCD2005-TP
Производитель:
Описание MCCD2005-TP
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN-2030-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | TrenchFET |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 35.763 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Время нарастания | 7.2 ns, 7.2 ns |
| Время спада | 10.8 ns, 10.8 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms, 27 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Qg - заряд затвора | 17.9 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 36 S, 36 S |
| Типичное время задержки выключения | 49 ns, 49 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns, 2.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара