FQB8N90CTM, моп-транзистор qfc 900v 1.9ohm d2pak
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание FQB8N90CTM
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FQB8N90CTM |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вес изделия | 1.312 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 171 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 70 ns |
| Время нарастания | 110 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара