TK65A10N1.S4X, МОП-транзистор МОП-транзистор NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
224,85 руб.
Нет в наличии
Описание TK65A10N1.S4X
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | TK65A10N1 |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Длина | 10 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Высота | 15 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 65 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 81 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TK65A10N1.S4X , МОП-транзистор МОП-транзистор NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара