TK33S10N1Z.LQ, МОП-транзистор UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK33S10N1Z.LQ
Описание TK33S10N1Z.LQ
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | TK33S10N1Z |
| Ширина | 5.5 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара