ZXTN25100DGTA, биполярные транзисторы - bjt npn 100v high gain
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
ZXTN25100DGTA
Описание ZXTN25100DGTA
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | ZXTN25100 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
| Вес изделия | 112 mg |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара