IXXX110N65B4H1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Артикул:
IXXX110N65B4H1
Производитель:
Описание IXXX110N65B4H1
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | PLUS 247-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Серия | Trench - 650V - 1200V GenX33 |
Упаковка | Tube |
Коммерческое обозначение | XPT |
Вес изделия | 6.500 g |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 880 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 240 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 110 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара