STF8N65M5, моп-транзистор n-ch 650v 0.56 ohm 7a mdmesh m5 pwr mo
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STF8N65M5
Описание STF8N65M5
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STF8N65M5 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара