2ST501T, транзисторы дарлингтона pwr bip/s.signal
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2ST501T
| Упаковка / блок | TO-220 |
|---|---|
| Серия | 2ST501 |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 2000 |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 500 uA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара