2SD1949T106Q, Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.5A
Описание 2SD1949T106Q
Упаковка / блок | SC-70-3 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Длина | 2 mm |
Ширина | 1.25 mm |
Высота | 0.8 mm |
Серия | 2SD1949 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 6.200 mg |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара