FS15R06VE3_B2, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 766,60 руб.
Нет в наличии
Описание FS15R06VE3_B2
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 10 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | Module |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 22 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FS15R06VE3_B2 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара