FS15R06VE3_B2, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) igbt-module
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FS15R06VE3_B2
Описание FS15R06VE3_B2
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 10 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | Module |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 22 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара