IXBT2N250, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Код товара: 10182499
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 550,59 руб.
Нет в наличии
Описание IXBT2N250
| Вес изделия | 6 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 32 W |
| Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.5 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.15 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 5 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 5 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXBT2N250 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара