RU1C002ZPTCL, моп-транзистор 4v drive pch моп-транзистор drive pch
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание RU1C002ZPTCL
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | RU1C002ZP |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Продукт | MOSFET |
| Тип | Power MOSFET |
| Ширина | 1.25 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 124.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Qg - заряд затвора | 1.4 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 4 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel MOSFET |
| Время спада | 17 ns |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара