STF6N65K3, МОП-транзистор N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STF6N65K3
Описание STF6N65K3
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STF6N65K3 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара