MR4A08BCYS35, магниторезистивная оперативная память (mram) 16mb 3.3v 35ns 2mx8 parallel магниторезистивная оперативная память (mram)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Производитель:
Everspin Technologies
Артикул:
MR4A08BCYS35
Описание MR4A08BCYS35
| Серия | MR4A08B |
|---|---|
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TSOP-44 |
| Напряжение питания - мин. | 3 V |
| Напряжение питания - макс. | 3.6 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Ширина шины данных | 8 bit |
| Тип интерфейса | Parallel |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Рабочий ток источника питания | 100 mA |
| Размер памяти | 16 Mbit |
| Организация | 2 M x 8 |
| Время доступа | 35 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара