MR2A16AMYS35, магниторезистивная оперативная память (mram) 4mb 3.3v 35ns 512k x 8 магниторезистивная оперативная память (mram)

Name: MR2A16AMYS35, Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Brand: Everspin Technologies
SKU: 10184999
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Код товара: 10184999

Дата обновления: 18.10.2021 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка MR2A16AMYS35 , Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Магниторезистивная оперативная память (MRAM) в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MR2A16AMYS35

Упаковка / блок	TSOP-44
Серия	MR2A16A
Упаковка	Tray
Вес изделия	4 g
ECCN	EAR99
Чувствительный к влажности	Yes
Размер памяти	4 Mbit

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← EEE-HD1A101AP 1729632 →