PBSS5160PAP.115, Биполярные транзисторы - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor

Код товара: 10185313

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
PBSS5160PAP.115
Производитель:

Описание PBSS5160PAP.115

УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
ECCNEAR99
Упаковка / блокDFN2020-6
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
КонфигурацияDual
Pd - рассеивание мощности1450 mW
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)125 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.245
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)170
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер125 mV

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка PBSS5160PAP.115 , Биполярные транзисторы - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.