NVMFS5C673NLAFT1G, моп-транзистор trench 6 60v nfet
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание NVMFS5C673NLAFT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NVMFS5C673NL |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | DFN-5 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 46 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 37 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара