PBHV8540T.215, биполярные транзисторы - bjt high voltage biss
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание PBHV8540T.215
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 8 mg |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Высота | 1 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 50 mA, 10 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара