SISS28DN-T1-GE3, МОП-транзистор N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SISS28DN-T1-GE3
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
97,81 руб.
Нет в наличии
Описание SISS28DN-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SIS |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.52 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 75 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SISS28DN-T1-GE3 , МОП-транзистор N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара