OP800WSL, фототранзисторы photo transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание OP800WSL
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Высота | 5.88 mm |
| Длина | 5.84 mm |
| Тип | NPN Silicon Phototransistor |
| Ширина | 5.84 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 383.851 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-18-2 |
| Продукт | Phototransistors |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Время спада | 7 us |
| Время нарастания | 7 us |
| Длина волны | 890 nm |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Темновой ток | 100 nA |
| Пиковая длина волны | 890 nm |
| Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 3 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара