TSM60NB041PW C1G, МОП-транзистор МОП-транзистор, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 78A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор МОП-транзистор, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 78A
Артикул:
TSM60NB041PW C1G
Производитель:
Описание TSM60NB041PW C1G
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Время спада | 148 ns |
| Время нарастания | 152 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 78 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 38 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 139 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 445 ns |
| Типичное время задержки при включении | 107 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара