STF2LN60K3, МОП-транзистор N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STF2LN60K3
Описание STF2LN60K3
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STF2LN60K3 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 8.5 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара