NGTG12N60TF1G, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
353,03 руб.
Нет в наличии
Описание NGTG12N60TF1G
| Серия | NGTG12N60TF1G |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 8 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-3PF-3L |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 20 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NGTG12N60TF1G , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 230 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара