2SB1182TLQ, биполярные транзисторы - bjt d-pak;bce pnp;driver smt hfe rank q
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Производитель:
ROHM
Артикул:
2SB1182TLQ
Описание 2SB1182TLQ
| Серия | 2SB1182 |
|---|---|
| Вес изделия | 260.400 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 2.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 5.5 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара