STGB6M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Код товара: 10195666

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STGB6M65DF2
Производитель:

Описание STGB6M65DF2

СерияSTGB6M65DF2
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
УпаковкаReel, Cut Tape
Вид монтажаSMD/SMT
Вес изделия1.380 g
ECCNEAR99
Упаковка / блокD2PAK-3
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности88 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.55 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C12 A
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 uA
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.12 A

Способы доставки в Калининград

Доставка STGB6M65DF2 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.