STGWA40H120F2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Name: STGWA40H120F2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Brand: ST Microelectronics
SKU: 10197749
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Код товара: 10197749

Дата обновления: 03.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка STGWA40H120F2 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание STGWA40H120F2

Серия	STGWA40H120F2
ECCN	EAR99
Вид монтажа	Through Hole
Минимальная рабочая температура	55 C
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Конфигурация	Single
Технология	Si
Pd - рассеивание мощности	468 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Непрерывный коллекторный ток	40 A

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: 2SDnjcaHRPw

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← LMK212BJ106MG-T 109-1002F40 →