CSD19532KTTT, МОП-транзистор 100V, N-channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
240,23 руб.
Нет в наличии
Описание CSD19532KTTT
| Серия | CSD19532KTT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 9.25 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 10.26 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.6 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка CSD19532KTTT , МОП-транзистор 100V, N-channel NexFET Pwr МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара